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Dielectric Response of Electron-doped Ionic Superconductor Li$_x$ZrNCl

机译:电子掺杂离子超导体Li $ _x $ ZrNCl的介电响应

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摘要

When electron doped, the layered transition metal nitrides ${\cal T}$NCl(${\cal T}$ = group IVB transition metal ion) become impressive superconductorswith critical temperature T$_c$= 15-26K. Here we take the most studied member,ZrNCl, as a representative and calculate the dielectric response$\epsilon(\omega)$ versus frequency and concentration of doped electroniccarriers. The static dielectric constant $\epsilon_{\infty}$=5 is reproducedextremely well. We establish that the differences between rigid band modelingand virtual crystal treatment are small, and compare also with actual lithiumdoping using supercells. We obtain the variations upon changing the dopinglevel of the reflectivity and energy loss function as well, many of which arefound not to be correlated with the observed (non)variation of T$_c(x)$. Themain plasmon peaks appear where the electron gas model suggests, in the range1.2-2.0 eV for $x$ varying from 0.16 to 0.50.
机译:当掺杂电子时,层状过渡金属氮化物$ {\ cal T} $ NCl($ {\ cal T} $ = IVB族过渡金属离子)成为令人印象深刻的超导体,临界温度T $ _c $ = 15-26K。在这里,我们以研究最多的成员ZrNCl作为代表,并计算相对于掺杂电子载流子的频率和浓度的介电响应ε。极好地再现了静态介电常数$ \ epsilon _ {\ infty} $ = 5。我们确定刚性带建模与虚拟晶体处理之间的差异很小,并且还与使用超级电池的实际锂掺杂进行了比较。我们还可以通过改变反射率和能量损失函数的掺杂水平获得变化,其中许多变化与观察到的T $ _c(x)$变化(非)不相关。电子等离子体模型显示的主要等离激元峰出现在$ x $的1.2-2.0 eV范围内,范围从0.16到0.50。

著录项

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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